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晶硅电池片及其制备方法
- 专利权人:
- 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 发明人:
- 姬常晓,张建国,杨晓生,周洪彪
- 申请号：
- CN201610853802.6
- 公开号：
- CN106409946A
- 申请日:
- 2016.09.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 周长清`张鲜
- 摘要：
- 本发明公开了一种晶硅电池片及其制备方法，晶硅电池片包括基体、指栅电极、焊接电极、背电极和铝背导电层，指栅电极和焊接电极设置在基体的正面，背电极和铝背导电层设置在基体的背面；基体正面与焊接电极对应的区域的方块电阻值为20Ω/□～60Ω/□，铝背导电层厚度比背电极高1μm～3μm，指栅电极的厚度比焊接电极高1μm～3μm。制备方法包括以下步骤：（1）扩散PN结；（2）激光掺杂；（3）成膜；（4）丝网印刷；（5）烧结。该晶硅电池片具有对焊接温度容忍度较高，不易产生漏电现象、封装性能好等优点，该制备方法成本低且利于产业化生产，在商业化卫星用航天电池领域有着高性价比的优势。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
