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一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法
- 专利权人:
- 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 发明人:
- 刘文峰,周洪彪,程文进,汪已琳
- 申请号：
- CN201410423997.1
- 公开号：
- CN104167471A
- 申请日:
- 2014.08.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 马强`刘佳芳
- 摘要：
- 本发明公开了一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，该方法包括：在P型硅基底前表面制备纳米绒面、P+型硼浅扩散晶硅层和SiOx钝化/SiNx减反层；在P型硅基底背面制备P++型硼重扩散晶硅层，然后采用印刷腐蚀浆料实现对P++型硼重扩散晶硅层局部腐蚀，再依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层n型非晶硅薄膜层，去除P++型硼重扩散晶硅层区域表层的本征和n型非晶硅；然后溅射一层透明导电薄膜层，用激光将P型硅基底背面的P区和N区分开；最后印刷电极，低温烧结。该方法将金属电极全部移至电池背面，受光面没有电极，降低了组件生产成本、电池的复合损失，从而光学损失和电阻均显著减少，效率大幅提升。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
