Chirurgisches Implantat, das zum Einpflanzen im menschlichen Körper dient, aufweisend • ein PEEK-Substrat (1), • eine Titanschicht (2), die durch Hochleistungsimpulsmagnetronsputten, die eine Vielzahl von unipolaren Pulsen erzeugt, auf dem PEEK-Substrat (1) gebildet wird, und • eine TiO2-Schicht (3), die durch Hochleistungsimpulsmagnetronsputten, die eine Vielzahl von unipolaren Pulsen erzeugt, auf der Titanschicht (2) gebildet wird, wobei die Frequenz jedes unipolaren Pulses im Bereich zwischen 600 Hz und 1,000 Hz liegt, wobei die Puls-Ein-Zeit im Bereich zwischen 100 μs und 200 μs liegt, wobei die Puls-Aus-Zeit im Bereich zwischen 1,050 μs und 1,150 μs liegt, wobei die durchschnittliche Leistung im Bereich zwischen 5,000 W und 7,000 W liegt.A surgical implant for implantation in the human body comprising • a PEEK substrate (1), • a titanium layer (2) formed on the PEEK substrate (1) by high power pulsed magnetron sputtering producing a plurality of unipolar pulses and a TiO 2 layer (3) formed on the titanium layer (2) by high power pulsed magnetron sputtering producing a plurality of unipolar pulses, the frequency of each unipolar pulse being in the range between 600 Hz and 1,000 Hz, the Pulse-on-time is in the range between 100 μs and 200 μs, with the pulse-off time in the range between 1.050 μs and 1.155 μs, with the average power ranging between 5.000 W and 7,000 W.
