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Surgical Implant Structure
专利权人:
鄒;錫凱
发明人:
鄒 錫凱,何 主亮,鍾 ▲啓▼仁,陳 賢▲徳▼,楊 宜儒,謝 秉諺
申请号:
JP2017002173
公开号:
JP3211656U
申请日:
2017.05.16
申请国别(地区):
JP
年份:
2017
代理人:
摘要:
A surgical implant structure having a high degree of biocompatibility is provided. A surgical implant structure is used for implantation in a human body, and generates a plurality of unipolar pulses with a polyether ether ketone base material 1 and a high power pulse magnetron sputtering technique. Each of the unipolar pulses including a titanium layer 2 formed on the outer surface of the substrate and a titanium dioxide layer 3 that generates a plurality of unipolar pulses by a high power pulse magnetron sputtering technique and is formed on the outer surface of the titanium layer. The repetition frequency range is between 600 Hz and 1,000 Hz, the pulse on time range is between 100 μs and 200 μs, the pulse off time range is between 1,050 μs and 1,150 μs, and the average output range is Between 5,000 W and 7,000 W. [Selection] Figure 2【課題】高度な生物適合性を有する外科手術インプラント構造を提供する。【解決手段】外科手術インプラント構造は、人体内に植入することに用いられ、ポリエーテルエーテルケトン基材1と、ハイパワーパルスマグネトロンスパッタリング技術で複数の単極性パルスを発生し、ポリエーテルエーテルケトン基材外表面に形成されるチタン層2と、ハイパワーパルスマグネトロンスパッタリング技術で複数の単極性パルスを発生し、チタン層外表面に形成される二酸化チタン層3と、を含み、各単極性パルスの繰り返し周波数範囲は、600Hz~1,000Hzの間であり、パルスオン時間範囲は、100μs~200μsの間であり、パルスオフ時間範囲は、1,050μs~1,150μsの間であり、平均出力範囲は、5,000W至7,000Wの間である。【選択図】図2
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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