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THIN LAYER MALTAGE PROCESS
专利权人:
REMI HELIOT
发明人:
REMI HELIOT
申请号:
FR1800924
公开号:
FR3085385A1
申请日:
2018.09.03
申请国别(地区):
FR
年份:
2020
代理人:
摘要:
The invention relates to a process for malting cereals and to application examples. The grain, emerging from its quenching phase, is placed on a first spiral conveyor in a thin layer. The grain in the germination phase goes from an upward spiral to a downward spiral without any other manipulation than a slight fall from one conveyor to another in its germination phase until its drying phase. A partitioned room, containing as many conveyors as necessary, is provided with a means of ventilation, a means of keeping the room temperature, a means of humidification for the germination phase, and two partitioned rooms with drying means for the kilning phase. The product can then be finally discharged in the form of malt. The process is characterized by the fact that the grain is handled as little as possible during its transformation, while providing optimum conditions for development. This process offers significant economic advantages in terms of real estate and equipment, while saving energy. L'invention concerne un procédé destiné au maltage de céréales ainsi que des exemples d'application. Le grain, sortie de sa phase de trempe est disposé sur un premier convoyeur en spirale en couche fine. Le grain en phase de germination passe d'une spirale montante à une spirale descendante sans autre manipulation qu'une légère chute d'un convoyeur à l'autre dans sa phase de germination jusqu'à sa phase de séchage. Une salle cloisonnée, contenant autant de convoyeurs que nécessaire est pourvue d'un moyen de ventilation, d'un moyen de maintien en température de la salle, d'un moyen d'humidification pour la phase de germination, et de deux salles cloisonnées avec moyen de séchage pour la phase de touraillage. Le produit peut ensuite être finalement déchargé sous forme de malt. Le procédé est caractérisé par le fait que l'on manutentionne le grain le minimum possible au cours de sa transformation, toute en luis offrant des conditions de développement optimum. Ce procédé offre des
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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