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Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
- 专利权人:
- ＪＸ金属株式会社
- 发明人:
- 田村 友哉
- 申请号：
- JP20140546922
- 公开号：
- JPWO2014077110(A1)
- 申请日:
- 2013.10.28
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- Ｇａが２２ａｔ％以上２９ａｔ％以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる溶解・鋳造したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットであって、ＣｕとＧａの金属間化合物層であるζ相とγ相との混相からなる共析組織を有し、前記γ相の径をＤμｍ、Ｇａ濃度をＣａｔ％とした場合において、Ｄ≦７×Ｃ−１５０の関係式を満たすことを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。鋳造組織のスパッタリングターゲットは、焼結体ターゲットに比べて酸素等のガス成分を減少できるというメリットがある。この鋳造組織を持つスパッタリングターゲットを一定の冷却速度の凝固条件で連続的に固化させることにより、酸素を低減させ、かつ偏析相を分散させた良質な鋳造組織のターゲットを得ることができる。【選択図】図２
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
