PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic capacity type transducer capable of reducing film damage on a substrate on a vibration film side caused by a difference in thermal expansion coefficients between a penetration wiring and a substrate and a manufacturing method of the same.SOLUTION: The electrostatic capacity type transducer has a cell including on a first surface of a substrate 1 having a penetration wiring 2 that penetrates from a first surface 1a side to a second surface 1b side a vibration film 9 containing a first electrode 4 and a second electrode 6 formed by having an interval 5 with the first electrode. At a first surface side of the substrate, a pressing member 3 for pressing a terminal of the penetration wiring 2 is provided.COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT【課題】貫通配線と基板との間の熱膨張係数差による振動膜側の基板面上の膜ダメージを低減することができる静電容量型トランスデューサ、その製造方法などを提供する。【解決手段】静電容量型トランスデューサは、第1面1a側から第2面1b側まで貫通する貫通配線2を有する基板1の第1面上に、第1の電極4と、第1の電極と間隙5を隔てて形成された第2の電極6を含む振動膜9と、を備えたセルを有する。基板の第1面側において、貫通配線2の終端を押える押え部材3が設けられている。【選択図】図1
