PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic capacity type transducer by which a wider band, and improvement of performance and reliability can be realized, and a method for manufacturing the same, etc.SOLUTION: A method for manufacturing an electrostatic capacity type transducer which has a cell 10 with a first electrode 3, and a vibration film 17 including a second electrode 7 formed at a gap 8 with the first electrode includes the following steps of: forming a sacrificial layer 12 on the first electrode forming a membrane 5 on the sacrificial layer forming an etching hole 13 on the membrane and etching the sacrificial layer via the etching hole. The etching hole is encapsulated by forming an insulator film 6 by a first film formation condition, and forming the insulation film 6 by a second film formation condition. The first film formation condition is the one with anisotropy in which film formation speed in a vertical direction is high to film formation speed in a horizontal direction. In the second film formation condition, ratio of the film formation speed in the vertical direction to the film formation speed in the horizontal direction is smaller than that of the first film formation condition.COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT【課題】広帯域化、性能や信頼性の向上を実現することができる静電容量型トランスデューサ、その製造方法などを提供する。【解決手段】第1の電極3と、第1の電極と間隙8を隔てて形成された第2の電極7を含む振動膜17と、を備えたセル10を有する静電容量型トランスデューサの製造方法は、次の工程を含む。第1の電極上に犠牲層12を形成する工程、犠牲層上にメンブレン5を形成する工程、メンブレンにエッチングホール13を形成する工程、エッチングホールを介して犠牲層をエッチングする工程を含む。第1の膜形成条件で絶縁膜6を形成し、第2の膜形成条件で絶縁膜6を形成することでエッチングホールを封止する。第1の膜形成条件は、水平方向の成膜速度に対して垂直方向の成膜速度が高速である異方性のある条件である。第2の膜形成条件は、水平方向の成膜速度に対する垂直方向の成膜速度の比率が第1の膜形成条件より小さい。【選択図】図1
