PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for suppressing damage on a through electrode even in a manufacturing method employing sacrificial layer etching in a capacitive transducer to be manufactured on a through electrode substrate.SOLUTION: The manufacturing method of the capacitive transducer including a cell 20 including a vibration film 10 including a second electrode 8 that is provided relatively to a first electrode 4 with a gap 6 interposed therebetween, on a substrate 1 including a through electrode 3 includes: forming the first electrode on the substrate including the through electrode forming an electrode protection layer 5 for protecting the through electrode and the first electrode forming a sacrificial layer 6a made of a material of which the etching speed is different from that of the through electrode, on the electrode protection layer and forming a layer that constitutes a part of the vibration film on the sacrificial layer. Further, an etching hole 11 is formed in the layer that constitutes a part of the vibration film, and the sacrificial layer is etched by using an etchant of which the etching speed to the sacrificial layer is higher than the etching speed to the through hole, such that a sealing layer 12 is formed which seals the etching hole.COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT【課題】貫通電極基板上に作製される静電容量型トランスデューサにおいて、犠牲層エッチングを用いた製造方法でも貫通電極に対する損傷が抑制される技術を提供する。【解決手段】貫通電極3を有する基板1に、第1電極4に対してギャップ6を挟んで設けられた第2電極8を含む振動膜10を有するセル20を備える静電容量型トランスデューサの作製方法である。作製方法では、貫通電極を有する基板に第1電極を形成し、貫通電極と第1電極を保護する電極保護層5を形成し、電極保護層上に、貫通電極とはエッチング速度の異なる材料からなる犠牲層6aを形成し、犠牲層上に、振動膜の一部を構成する層を形成する。さらに、振動膜の一部を構成する層にエッチング孔11を形成して、犠牲層を、貫通電極に対するエッチング速度より犠牲層に対するエッチング速度が大きなエッチング液を用いてエッチングし、エッチング孔を封止する封止層12を形成する。【選択図】図1
