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低エッチング速度のハードマスク膜のための酸素ドーピングを伴うPVDALN膜
专利权人:
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドAPPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人:
カオ ヨン,大東 和也,ジャクカラジュ ラジュクマール,タン シャンミン
申请号:
JP20150509033
公开号:
JP6272830(B2)
申请日:
2013.04.18
申请国别(地区):
日本
年份:
2018
代理人:
摘要:
The present invention generally relates to a doped aluminum nitride hardmask and a method of making a doped aluminum nitride hardmask. By adding a small amount of dopant, such as oxygen, when forming the aluminum nitride hardmask, the wet etch rate of the hardmask can be significantly reduced. Additionally, due to the presence of the dopant, the grain size of the hardmask is reduced compared to a non-doped aluminum nitride hardmask. The reduced grain size leads to smoother features in the hardmask which leads to more precise etching of the underlying layer when utilizing the hardmask.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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