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荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
专利权人:
株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人:
野村 春之
申请号:
JP20150225453
公开号:
JP2017098285(A)
申请日:
2015.11.18
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
【課題】後方散乱に対するヒーティング効果の照射量補正を行うためのパラメータを取得可能な方法を提供する。【解決手段】荷電粒子ビームの照射量補正用パラメータの取得方法は、荷電粒子ビームを用いて、評価パターン毎に描画条件を可変にし、描画条件毎に、評価パターンの周辺に、荷電粒子ビームの複数のショットを用いて、対応する描画条件に従って周辺パターンを描画する工程と、描画条件毎に、評価パターンの幅寸法を測定する工程と、描画条件毎に、各ショットから当該評価パターンに到達する後方散乱ドーズ量を演算する工程と、描画条件毎に、複数のショットの各ショット時における当該ショット時よりも前のショットからの熱伝達による当該評価パターンの温度上昇量を演算する工程と、評価パターンの幅寸法変動量と評価パターン
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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