一种气体传感器及其制造工艺
- 专利权人:
- 南京工业大学
- 发明人:
- 殷晨波,张子立,朱斌,陶春旻,董宁宁,杨柳
- 申请号：
- CN201110366861.8
- 公开号：
- CN102426176A
- 申请日:
- 2011.11.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 胡建华
- 摘要：
- 本发明公开了一种气体传感器及其制造工艺，气体传感器包括硅基底、二氧化硅绝热截至层、叉指信号电极、测温电极、加热电极；所述的硅基底具有通孔结构，硅基底的上表面包括通孔的顶部设有二氧化硅层，所述的二氧化硅层采用表面工艺加工成悬臂结构。二氧化硅层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组，电极组上表面设有二氧化锡层本发明工艺将加热电极、叉指信号电极、测温电极制作于一层，降低了制造复杂度，提高了成品率；将传感器二氧化硅层腐蚀，形成悬臂结构，减小热量的传输通道，使得传感器的功耗更低。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
