ALKYLATED GRAPHENE OXIDE COMPOSITION AND FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE GAS SENSOR COMPRISING THE SAME
- 专利权人:
- 发明人:
- 申请号：
- KR20130118638
- 公开号：
- KR101535619(B1)
- 申请日:
- 2013.10.04
- 申请国别(地区):
- 韩国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
유기 반도체(organic semiconductor); 및 알킬화 그래핀 옥사이드(alkylated-graphene oxide);를 포함하는 알킬화 그래핀 옥사이드 조성물이 제공된다. 본 발명의 알킬화 그래핀 옥사이드 조성물은 전계효과 트랜지스터형 가스 센서의 활성층, 즉 센싱 레이어로 사용될 수 있다. 이에 의하면, 유기 반도체를 사용함으로써 낮은 공정 비용을 구현하고 유연한 기판에 적용할 수 있으며, 상온에서 동작 가능하도록 할 수 있다. 또한, 리셉터 물질인 알킬화 그래핀 옥사이드와 고분자 반도체가 분산된 복합체로 활성층을 형성하여 리셉터층을 별도로 형성하는 공정을 생략할 수 있으며, 트랜지스터 소자의 채널 영역에 리셉터가 존재하여 센서의 민감도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
