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THE GATE VALVE PROCESSING METHOD FOR SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
- 专利权人:
- 장범식
- 发明人:
- 장범식
- 申请号：
- KR20180006821
- 公开号：
- KR101831137(B1)
- 申请日:
- 2018.01.19
- 申请国别(地区):
- 韩国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 및 반도체 제조장비의 게이트 밸브 가공 방법은 가공물의 하면이 상측을 향하도록 가공물의 상면을 테이블의 지지면에 밀착시키고, 상기 고정수단을 통하여 가공물의 둘레면을 지지하여 상기 가공물을 상기 테이블에 고정시키는 단계; 상기 가공물의 하면이 상기 테이블의 지지면에 평행한 상태가 되도록 상기 가공부를 통하여 상기 가공물의 하면을 면삭하는 단계; 가공물의 가장자리를 따라 상기 가공물의 하면으로부터 상기 가공물의 상면을 향하여 미리 설정된 깊이로 함몰된 홈을 형성하여 상기 가공물에 지지부를 형성하는 단계; 상기 가공물의 상면이 상측을 향하도록 상기 가공물을 180도 회전시켜 상기 가공물의 하면을 상기 테이블의 지지면에 밀착시키고, 상기 고정수단을 통하여 상기 지지부의 외면을 지지하여 상기 가공
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
