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植入式电极装置及其制造方法
专利权人:
脑部护理有限公司
发明人:
K·文德尔-米托拉吉
申请号:
CN202111150466.6
公开号:
CN113827860A
申请日:
2015.11.02
申请国别(地区):
CN
年份:
2021
代理人:
摘要:
本发明提供了一种植入式电极装置及其制造方法,该植入式电极装置包括载体、测量电极、导电迹线以及导电端子,并且进一步包含:阻障层,阻障层通过覆盖该载体的所有表面来围绕该载体,其中导电垫的接触表面被暴露于外部环境,并且其中电极装置在测量电极所位于的一侧上的表面具有等于或小于60微米的介于测量电极的接触表面与不包括测量电极的电极装置的表面的中线之间的最大谷深度或最大尖峰高度,或者其中电极装置在测量电极所位于的一侧上的表面具有大于60微米的介于测量电极的接触表面与不包括测量电极的电极装置的表面的中线之间的最大谷深度或最大尖峰高度且其中接触表面的最大线性延伸等于或小于100微米。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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