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一种WS2‑PVP纳米片及其制备方法和应用
- 专利权人:
- 中国人民解放军第二军医大学;上海理工大学
- 发明人:
- 王世革,高云,赵九龙,胡飞,邹多武,黄明贤
- 申请号：
- CN201610436269.3
- 公开号：
- CN106075439A
- 申请日:
- 2016.06.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种WS2‑PVP纳米片，在WS2纳米片的表面修饰有聚乙烯吡咯烷酮。本发明还提供了上述一种WS2‑PVP纳米片的制备方法，先将硫源和钨源溶解于溶剂中，搅拌使之完全溶解；在搅拌作用下，将聚合物溶解于硫源和钼源的溶液中，得硫源、钼源和聚合物的混合溶液；将所得溶液转移至对位聚苯内衬的不锈钢反应釜中密封反应一段时间，离心分离、清洗所得产物，即得表面修饰有聚合物、具有良好的胶体稳定性的二维WS2‑PVP纳米片。本发明还提供了WS2‑PVP纳米片作为光热转化材料中的应用。本发明的WS2‑PVP纳米片具有优秀的光热转化能力、计算机断层扫描和光声成像能力，可有望应用于肿瘤的高效协同诊断和治疗。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
