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一种超小MoS2纳米片及其制备方法和应用
- 专利权人:
- 中国人民解放军第二军医大学;上海理工大学;上海理工大学；中国人民解放军第二军医大学
- 发明人:
- 王世革,赵九龙,胡飞,邹多武,李貌,黄明贤
- 申请号：
- CN201610436267.4
- 公开号：
- CN106075438A
- 申请日:
- 2016.06.17
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种超小MoS2纳米片，MoS2纳米片的表面修饰有聚乙烯吡咯烷酮，修饰后的MoS2纳米片的片径在15~25 nm之间。还提供了上述超小MoS2纳米片的制备方法，将硫源和钼源溶解于水中，搅拌使其完全溶解；将聚乙烯吡咯烷酮溶解于硫源和钼源的溶液中；将所得溶液转移至对位聚苯内衬的不锈钢反应釜中密封反应，反应完成后将所得产物用乙醇胺水溶液和蒸馏水清洗，即得表面修饰有聚乙烯吡咯烷酮的超小MoS2纳米片。本发明还提供了上述的一种超小MoS2纳米片作为光热转化材料中的用途。本发明所得超小MoS2纳米片具有良好的胶体稳定性、光热转化能力和光声成像能力，在肿瘤治疗等领域具有广阔的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
