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一种介孔SiO2/MoS2材料的制备方法及其应用
- 专利权人:
- 上海理工大学
- 发明人:
- 王世革,赵九龙,胡飞,杨海伦,周春华,李佳玲,邹多武,张靖,郭丙倩
- 申请号：
- CN201710810602.7
- 公开号：
- CN107512736A
- 申请日:
- 2017.09.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了介孔SiO2/MoS2材料的制备方法,包括:步骤一,按一定比例称取介孔二氧化硅、硫源以及钼源;步骤二,将介孔二氧化硅、硫源以及钼源置于乙醇水溶液中超声分散得到均匀浑浊液;步骤三,将均匀浑浊液在真空条件下进行旋转并离心得到沉淀物;步骤四,将沉淀物转移至不锈钢反应釜中,加入聚乙二醇,密封反应得到反应产物;步骤五,先用乙醇胺水溶液对反应产物清洗,再用蒸馏水清洗,得到负载有MoS2的介孔二氧化硅;步骤六,在水浴条件下向分散有负载有MoS2的介孔二氧化硅的乙醇溶液加入硅烷偶联剂进行搅拌反应,并离心得到已修饰氨基的介孔SiO2/MoS2材料;步骤七,介孔SiO2/MoS2材料分散到水溶液中加入已活化的聚乙二醇进行反应,得到修饰完全稳定的介孔SiO2/MoS2材料。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
