薄膜型气敏元件的制备方法

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专利权人:

山东理工大学

发明人:

张磊,焦万丽

申请号：

CN201310488778.7

公开号：

CN103529080B

申请日:

2013.10.17

申请国别(地区):

中国

年份:

2015

代理人:

摘要：

本发明提供了一种薄膜型气敏元件的制备方法，步骤是：(1)按照NiFe₂O₄的化学计量比，配制硝酸铁和硝酸镍的混合溶液；(2)采用浓氨水为沉淀剂，将Fe³⁺和Ni²⁺完全沉淀；(3)将步骤(2)所得物移入反应釜，在220℃下保温6-10小时，生成NiFe₂O₄纳米粉体；(4)将所得粉体用去离子水洗涤至中性，加入适量PAA，70℃下搅拌1小时，生成NiFe₂O₄/PAA磁性纳米复合粉体；(5)将磁性纳米复合粉体制成悬浮液，滴在叉指电极基片上，在交变磁场的作用下干燥；(6)将干燥后的叉指电极放入电阻炉内，先200℃保温一小时，再在400-600℃下保温一小时；(7)反复进行步骤(5)和步骤(6)4-10次，得到大孔隙结构的薄膜型气敏元件。本发明利用交变磁场，得低温高灵敏度大孔隙薄膜气敏元件。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/