Disclosed is an ultrasonic probe comprising: CMUT cells (13) that mutually convert ultrasonic waves and electrical signals； a semiconductor substrate (15) that has a plurality of the CMUT cells (13) formed on the surface thereof； an acoustic lens (3) that is provided on the front face side of the CMUT cells (13)； and a backing layer (5) that is provided on the rear face side of the semiconductor substrate (15). The backing layer (5) is formed by a first backing layer (27) that makes contact with the semiconductor substrate, and a second backing layer (29) that is provided on the rear face side of the backing layer (27). The acoustic impedance of the backing layer (27) is set based on the sheet thickness of the semiconductor substrate (15). The backing layer (29) is formed by attenuating material capable of attenuating ultrasonic waves transmitted through the backing layer (27). Multiple reflection of reflection echoes is suppressed by setting the acoustic impedance of the backing layer (29) to match the acoustic impedance of the backing layer (27).L'invention concerne une sonde ultrasonore qui comprend: des cellules de transducteur ultrasonore micro-usiné capacitif (CMUT) (13), qui assurent la conversion mutuelle d'ondes ultrasononores et de signaux électriques； un substrat semi-conducteur (15), sur la surface duquel sont formées une pluralité de cellules de CMUT (13)； une lentille acoustique (3), prévue sur la face avant des cellules de CMUT (13)； et une couche de renforcement (5), prévue sur la face arrière du substrat semi-conducteur (15). La couche de renforcement (5) est constituée d'une première couche de renforcement (27) faisant contact avec le substrat semi-conducteur, et d'une seconde couche de renforcement (29), formée sur la face arrière de la couche de renforcement (27). L'impédance acoustique de la couche de renforcement (27) est réglée sur la base de l'épaisseur de la feuille du substrat semi-conducteur (15). La couche de renforcement (29) est constit
