The present invention suppresses deviation in radiation detection performance between a plurality of adjacent semiconductor layers to which a bias voltage is applied and enhances detection accuracy. This radiation detector is provided with: a plurality of detection element modules configured through the two-dimensional arrangement of detection elements that have a semiconductor layer for generating charge through the reception of radiation photons, a common electrode that is formed on one surface of the semiconductor layer and is for applying a bias voltage to the semiconductor layer, and a pixel electrode that is formed on the other surface of the semiconductor layer； a plurality of lead lines for power supply that are arranged at a prescribed interval on the surfaces of the common electrodes of the detection elements included in the detection element modules； and scattered ray removing members that are disposed above the lead lines so as to correspond to the arrangement of the lead lines.La présente invention supprime l'écart de performance de détection de rayonnement entre une pluralité de couches semi-conductrices adjacentes auxquelles une tension de polarisation est appliquée et améliore la précision de détection. Ce détecteur de rayonnement est pourvu de : une pluralité de modules d'élément de détection configurés au moyen de l'agencement bidimensionnel d'éléments de détection qui ont une couche semi-conductrice pour générer une charge par l'intermédiaire de la réception de photons de rayonnement, une électrode de référence qui est formée sur une surface de la couche semi-conductrice et est destinée à appliquer une tension de polarisation à la couche semi-conductrice, et une électrode de pixel qui est formée sur l'autre surface de la couche semi-conductrice； une pluralité de lignes conductrices pour l'alimentation électrique qui sont agencées à un intervalle prescrit sur les surfaces des électrodes de référence des éléments de détection inclus dans les modules
