A semiconductor device, an ultrasonic imaging device, a method for manufacturing a semiconductor device, and an ultrasonic imaging system including a protection circuit having a small area and good characteristics are provided. A semiconductor device according to an embodiment of the present technology is an integrated circuit formed on an SOI substrate including a silicon substrate made of crystalline silicon, a BOX layer stacked on the silicon substrate, and an SOI layer stacked on the BOX layer. A semiconductor device including a circuit includes a protection circuit and an element isolation region. The protection circuit comprises a semiconductor region that constitutes the integrated circuit and has the same crystal orientation as the silicon substrate. The element isolation region penetrates the SOI substrate and isolates the protection circuit. [Selection] Figure 1【課題】小面積ながら良好な特性を有する保護回路を備える半導体装置、超音波撮像装置、半導体装置の製造方法及び及び超音波イメージングシステムを提供すること。【解決手段】、本技術に係る半導体装置は、結晶シリコンからなるシリコン基板、上記シリコン基板に積層されたＢＯＸ層及び上記ＢＯＸ層に積層されたＳＯＩ層を備えるＳＯＩ基板上に形成された、集積回路を備える半導体装置であって、保護回路と、素子分離領域を具備する。上記保護回路は、上記集積回路を構成し、上記シリコン基板と同じ結晶配向を有する半導体領域を備える。上記素子分離領域は、上記ＳＯＩ基板を貫通し、上記保護回路を分離する。【選択図】図１
