The disclosure relates to a method and apparatus for manufacturing a detector element. The sensor element includes first and second electrodes positioned on opposite sides of the semiconductor layer. The first and second electrodes are staggered with respect to each other in a plane perpendicular to the semiconductor layer.본 공개는 감지기 소자를 제조하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 감지기 소자는 반도체 층의 반대 방향 측 상에 위치되는 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 전극은 반도체 층에 수직인 평면에서 서로에 관하여 엇갈리게 되어 있다.