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脑磁源强度定位方法
专利权人:
中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
发明人:
刘婷,戴亚康,周志勇
申请号:
CN201510435334.6
公开号:
CN105147288B
申请日:
2015.07.23
申请国别(地区):
CN
年份:
2018
代理人:
摘要:
本发明公开了一种脑磁源强度定位方法,包括:通过引入时域平滑正则算子构造双参数混合正则化代价函数,然后根据广义交叉验证原则选取双正则化参数,通过单正则项在源信号矩阵中的比重对原始代价函数进行求解,得到脑磁源强度和位置确定的解矩阵,从而完成定位过程。本发明提出的脑磁源强度定位方法具有:总体均方误差小,且噪声越大时优势越明显;各时刻均方误差基本稳定在同一个水平,且受噪声影响小,根据本发明的方法能够重建得到时空准确且时域平滑的脑内神经信号,实现了脑磁源的精确定位。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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