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垂直積層構造を備える、気密封止したインプラントセンサ
专利权人:
インジェクトセンス, インコーポレイテッド
发明人:
カオ, アリエル
申请号:
JP2016576059
公开号:
JP2017527329A
申请日:
2015.07.01
申请国别(地区):
JP
年份:
2017
代理人:
摘要:
The present invention describes a vertically stacked and hermetically sealed implantable pressure sensor device for measuring physiological signals. The implantable device comprising a plurality of layers including a first wafer having a pressure sensor configured to measure the physiological signal and a second wafer having at least one digitized integrated circuit . The first wafer is vertically stacked or disposed on the second wafer to form a hermetic seal. The device may include one or more additional layers adapted for energy storage and transfer, such as a third layer with a super capacitor and a fourth layer with a thin film battery.本発明は、生理学的信号を測定するための、垂直に積層しかつ気密封止された埋め込み型圧力センサ装置について記載する。前記埋め込み型装置は、前記生理学的信号を測定するように構成される圧力センサを有する第1のウエハと、少なくとも1つのデジタル化集積回路を有する第2のウエハと、を含有する複数層を含む。第1のウエハは、密封封止を形成するために第2のウエハ上に垂直に積層又は配設されている。前記装置は、超コンデンサを有する第3の層及び薄膜電池を有する第4の層などエネルギーの貯蔵及び転送に適応する、1つ以上の追加の層を含むことができる。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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