一种基于液相分散的二维MoS₂纳米片的制备方法

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专利权人:

哈尔滨工业大学

发明人:

王荣国,何亚飞,郝立峰,陆小龙,刘文博,矫维成,杨帆

申请号：

CN201410022747.7

公开号：

CN103771517B

申请日:

2014.01.17

申请国别(地区):

中国

年份:

2015

代理人:

侯静

摘要：

一种基于液相分散的二维MoS₂纳米片的制备方法，本发明涉及一种二维MoS₂纳米片的制备方法，它要解决现有制备MoS₂纳米片的工艺复杂，得到的纳米片厚度不够接近单层和悬浮液中MoS₂纳米片浓度较小的问题。制备：一、将MoS₂块状粉末与分散溶剂混合，得到初始混合液；二、对初始混合液进行高速剪切；三、再对混合液进行超声处理；四、最后对混合液进行离心处理，静置后取上层清液，得到二维MoS₂纳米片悬浮液。本发明的工艺简单易行，获得的MoS₂纳米片悬浮液的荧光现象明显增强，表明MoS₂纳米片的厚度更接近单层，纳米片浓度更大。本发明主要应用于半导体、光电子器件、航空航天、无损检测和复合材料等领域。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/