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一种基于钴掺杂二维纳米光电材料的光电化学内吸磷传感器的制备方法
- 专利权人:
- 济南大学
- 发明人:
- 张勇,李燕,王欢,匡轩,姜娜
- 申请号：
- CN201610521786.0
- 公开号：
- CN106198668A
- 申请日:
- 2016.07.05
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 李茜
- 摘要：
- 本发明公开了一种光电化学内吸磷传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感器技术领域。本发明首先制备了一种新型二维纳米光电材料——钴掺杂二维纳米光电材料，即钴掺杂二氧化钛纳米方块原位复合二硫化钼的二维纳米复合材料Co‑TiO2/MoS2，利用该材料的良好的生物相容性和大的比表面积，负载上内吸磷抗体、固定上碱性磷酸酶，在进行检测时，由于碱性磷酸酶可以催化L‑抗坏血酸‑2‑磷酸三钠盐AAP原位产生L‑抗坏血酸AA，并进而为光电检测提供电子供体，再利用抗体与抗原的特异性定量结合对电子传输能力的影响，使得光电流强度相应降低，最终实现了采用无标记的光电化学方法检测内吸磷的光电传感器的构建。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
