基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料及制备方法

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专利权人:

北京化工大学

发明人:

贾晓龙,尚庭华,曹阳,李文斌,杨文刚,杨小平

申请号：

CN201610126124.3

公开号：

CN105733189A

申请日:

2016.03.06

申请国别(地区):

中国

年份:

2016

代理人:

刘萍

摘要：

基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料及制备方法涉及高阻隔复合材料制备。其特征在于：a、采用共沉淀法在磁场作用下使Fe₃O₄以磁性纳米棒的形式负载到二维纳米填料表面，然后用多巴胺包覆二维纳米填料，使Fe₃O₄磁性纳米棒和二维纳米填料结合稳定，同时改善了二维纳米填料与树脂基体的界面结合性能；b、磁改性二维纳米填料在磁场诱导下取向，不影响树脂固化体系，且磁场强度大小和方向能随意进行调整，二维纳米填料的取向分布易于实现，适用范围广。本发明实现了二维纳米填料在树脂基体中的取向排列，充分发挥其阻隔效能，有效提高了树脂基复合材料的阻隔性能，拓展了树脂基复合材料在航空、航天、能源、交通等领域的应用范围。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/