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光半導体素子とその駆動方法、および前記光半導体素子を有する光干渉断層撮像装置
专利权人:
CANON INC
发明人:
SEKIGUCHI YOSHINOBU,関口 芳信
申请号:
JP2013200262
公开号:
JP2014082482A
申请日:
2013.09.26
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical semiconductor element which can broaden an emission wavelength band compared with that in the past.SOLUTION: An optical semiconductor element comprises: an MQW active layer 14 including a multiquantum well structure and at least one electrode pair 11, 17 for injecting a current into the active layer. The multiquantum well structure includes a first quantum well 141 and a second quantum well 142 different from the first quantum well, in which the first quantum well has at least two features different from those of the second quantum well among a well layer composition, a well layer width and a barrier layer composition.COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT【課題】従来よりも発光波長帯域を広くすることができる光半導体素子を提供する。【解決手段】多重量子井戸構造を含むMQW活性層14と、前記活性層に電流を注入させるための少なくとも1つの電極対11,17とを有する光半導体素子であって、前記多重量子井戸構造が第1の量子井戸141と前記第1の量子井戸と異なる第2の量子井戸142とを有し、前記第1の量子井戸と前記第2の量子井戸とは、井戸層の組成、井戸層の幅、障壁層の組成のうち少なくとも2つが互いに異なることを特徴とする光半導体素子を構成する。【選択図】図7
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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