Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, wobei die erste Halbleiterschicht (110) die Zusammensetzung AlxGa1-xN hat. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst weiterhin eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Zone (115) zwischen der ersten Halbleiterschicht (110) und der zweiten Halbleiterschicht (120), wobei die aktive Zone (115) eine Quantentopfstruktur (114) aufweist, sowie eine Zwischenschicht (125) zwischen der ersten Halbleiterschicht (110) und der aktiven Zone (115). Die Zwischenschicht (125) umfasst ein Halbleitermaterial der Zusammensetzung AlyGa1-yN, mit x*1,05 ≤ y ≤ 1.An optoelectronic semiconductor component (10) comprises a first semiconductor layer (110) of a first conductivity type, the first semiconductor layer (110) having the composition Al x Ga 1-x N. The optoelectronic semiconductor component (10) further comprises a second semiconductor layer (120) of a second conductivity type, an active zone (115) between the first semiconductor layer (110) and the second semiconductor layer (120), the active zone (115) having a quantum well structure ( 114), and an intermediate layer (125) between the first semiconductor layer (110) and the active zone (115). The intermediate layer (125) comprises a semiconductor material with the composition Al y Ga 1-y N, with x * 1.05 y y 1 1.
