A microelectronic sensor for non-invasive monitoring of glucose levels in blood is based on the combination of an open-gate pseudo-conductive high-electron mobility transistor and a Vivaldi antenna installed in the open gate area of the transistor. The sensor is capable of sensing sub-THz radiation produced by a body of a user, and comprises a heterojunction structure made of the layers of GaN/AlGaN single- or poly-crystalline semiconductor materials stacked alternately and a conducting channel comprising a two-dimensional electron gas (2DEG) or a two-dimensional hole gas (2DHG) formed at the interface between the GaN/AlGaN layers. The highest sensitivity of the sensor is achieved when the thickness of the top recessed layer (GaN or AlGaN) in the open gate area between the source and drain contacts is 5-9 nm and the surface roughness of this top layer is about 0.2 nm or less.Un capteur microélectronique pour la surveillance non invasive de taux de glucose dans le sang est basé sur la combinaison d'un transistor à haute mobilité d'électrons pseudo-conducteur à grille ouverte et d'une antenne Vivaldi installée dans la zone de grille ouverte du transistor. Le capteur peut détecter un rayonnement sub-térahertz (sub-THz) produit par le corps d'un utilisateur, et comprend une structure d'hétérojonction constituée des couches de matériaux semi-conducteurs mono ou polycristallins GaN/AlGaN empilées alternativement et un canal conducteur comprenant un gaz d'électrons bidimensionnel (GE2D) ou un gaz de trous bidimensionnel (HG2D) formé au niveau de l'interface entre les couches de GaN/AlGaN. La sensibilité la plus élevée du capteur est obtenue lorsque l'épaisseur de la couche évidée supérieure (GaN ou AlGaN) dans la zone de grille ouverte entre les contacts de source et de drain est de 5 à 9 nm et que la rugosité de surface de cette couche supérieure est d'environ 0,2 nm ou moins.
