紫外发光芯片、其制备方法及应用
- 专利权人:
- 广东省科学院半导体研究所
- 发明人:
- 何晨光,刘云洲,陈志涛,赵维,贺龙飞,吴华龙,张康
- 申请号：
- CN202010925500.1
- 公开号：
- CN112018219A
- 申请日:
- 2020.09.04
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开一种紫外发光芯片、其制备方法及应用，该紫外发光芯片从下到上依次包括：衬底、缓冲层、电子传输层、紫外光有源区、电子阻挡层、空穴传输层和p型层；其中，所述紫外光有源区在正向电流注入下能够同时发射深紫外光和近紫外光。本发明提供的方案可以解决现有技术中的缺少一种使用时对于使用者来说相对安全的单芯片紫外发光装置的技术问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
