マグネシウムリチウム合金基体、携帯電子機器及びマグネシウムリチウム合金基材の化成処理方法
- 专利权人:
- 富士通株式会社
- 发明人:
- 長沼 靖雄,柏川 貴弘,木村 浩一
- 申请号：
- JP20160159113
- 公开号：
- JP2018028114(A)
- 申请日:
- 2016.08.15
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】マグネシウムリチウム合金基体、携帯電子機器及びマグネシウムリチウム合金基材の化成処理方法に関し、リチウムを含まない合金と同程度の処理工程で安定した密着力の強い被膜を形成する。【解決手段】マグネシウムリチウム合金基材の表面にスズ及びフッ素を含有する化成皮膜を設ける。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
