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表面形状の測定方法および測定装置
- 专利权人:
- 有限会社ワイ・システムズ
- 发明人:
- ラクロワ イーヴ
- 申请号：
- JP20160537660
- 公开号：
- JPWO2016016972(A1)
- 申请日:
- 2014.07.30
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】 半導体層を蒸着法により成膜する際に、半導体層の表面の形状を測定することで、前記表面の形状の矯正などを行うことができるようにした表面形状の測定方法および測定装置を提供する。【解決手段】 単一のレーザー光を、可動式のミラーで反射して、実質的に３本に分離されたレーザー入射光Ｌｄ１，Ｌｄ２，Ｌｄ３を生成し、チャンバ２内で成膜されている半導体層７の表面の入射点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３にレーザー入射光Ｌｄ１，Ｌｄ２，Ｌｄ３を照射する。それぞれの入射点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３からのレーザー反射光Ｌｖ１，Ｌｖ２，Ｌｖ３を光位置センサで検知することで、入射点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を含む膜の表面形状を測定する。【選択図】図２
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
