This solid-state imaging device (1) is provided with: a first semiconductor substrate (1A) having a light-receiving unit (11) that receives incoming light； and a second semiconductor substrate (1B) having an image processing circuit (12) that processes a signal from the light-receiving unit (11) so as to generate an image signal. The second semiconductor substrate (1B) has: a non-volatile memory (14) having a region in which use history data is stored； and a control circuit (use history securing circuit) (13) which limits output of an image signal when the non-volatile memory (14) has use history data stored therein.L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend : un premier substrat semi-conducteur (1A) comprenant une unité de réception de lumière (11) qui reçoit une lumière entrante ； et un second substrat semi-conducteur (1B) comprenant un circuit de traitement d'image (12) qui traite un signal provenant de l'unité de réception de lumière (11) de façon à générer un signal d'image. Le second substrat semi-conducteur (1B) comprend : une mémoire non volatile (14) comprenant une région dans laquelle des données d'historique d'utilisation sont stockées ； et un circuit de commande (circuit de sécurisation d'historique d'utilisation) (13) qui limite la sortie d'un signal d'image lorsque la mémoire non volatile (14) comprend des données d'historique d'utilisation stockées dans celle-ci.固体撮像装置（１）は、入射光を受光する受光部（１１）を有する第１の半導体基板（１Ａ）と、受光部（１１）からの信号を処理して画像信号を生成する画像処理回路（１２）を有する第２の半導体基板（１Ｂ）と、を備え、第２の半導体基板（１Ｂ）は、使用履歴データを格納する領域を有する不揮発性メモリ（１４）と、不揮発性メモリ（１４）に使用履歴データが格納されているとき、画像信号の出力を制限する制御回路（使用履歴担保回路）（１３）とを有する。
