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Transparent active layer thin film transistor comprising the same and method of fabricating of the thin film transistor
专利权人:
IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY)
发明人:
MYUNG MO SUNG,HAN KYU SEOK,YOON KWANHYUCK
申请号:
KR20170179743
公开号:
KR20180002579(A)
申请日:
2017.12.26
申请国别(地区):
韩国
年份:
2018
代理人:
摘要:
박막 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 플라스틱 기판을 준비하는 단계, 상기 플라스틱 기판 상에, 아연을 포함하는 제1 소스를 제공하는 단계, 및 황을 포함하는 제2 소스를 제공하는 단계를 7:1~13:1의 비율로 수행하여, 상기 플라스틱 기판 상에 투명 활성층을 원자층 증착법으로 형성하는 단계, 상기 투명 활성층과 중첩되는 게이트 전극을 제공하는 단계, 및 상기 게이트 전극 및 상기 투명 활성층 사이에 게이트 절연막을 제공하는 단계를 포함한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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