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含具有改良光谱测定反应的半导体检测器的电离辐射检测装置
专利权人:
法国原子能与替代能委员会
发明人:
安德烈·布莱姆比拉,派翠克·奥维尔·巴菲特
申请号:
CN201210222928.5
公开号:
CN102854204B
申请日:
2012.06.29
申请国别(地区):
CN
年份:
2017
代理人:
摘要:
此发明有关于电离辐射检测装置,其包含由于电极(3.1,3.2)而倾向加偏压的半导体材料的检测器(1),其中连接至读取电路(2)的读取电极(3.2)处理其提供的信号,以拒斥造成不良光谱测定反应的信号,也就是通过诱发共享所影响的信号及可能通过电荷或电子杂讯共享所影响的信号。本发明应用于电离辐射成像。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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