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fNIR Photo-Detector for high resolution brain imaging and the Fabrication Method Thereof
专利权人:
发明人:
이종수,나현수
申请号:
KR1020150152079
公开号:
KR1017795260000B1
申请日:
2015.10.30
申请国别(地区):
KR
年份:
2017
代理人:
摘要:
The present invention relates to a detector device for a near-infrared ray and a method of manufacturing the same, and more particularly to a detector device for a near-infrared ray capable of reacting light uniformly at various angles by etching the surface of a detector element in a pyramid-And a nano crystal layer is formed to allow the user to select a region of light to be strengthened to enable adjustment of the absorption wavelength so as to stably and precisely detect near infrared rays generated in the human body. And a manufacturing method thereof.A line function near infrared detector device according to the present invention comprises a substrate layer And a nano-crystal layer formed on the substrate, wherein an upper surface of the substrate layer is formed in a pyramid shape.본 발명은 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디텍터소자의 표면을 피라미드 형태로 에칭함으로써 표면에 조사된 빛의 반사율을 개선함으로써 여러 각도에서 균일하게 빛에 반응할 수 있으며, 나노크리스탈층을 형성하여 사용자가 강화하고 싶은 빛의 영역대를 선택할 수 있도록 하여 흡수파장 조절이 가능하게 함으로써 인체에서 발생하는 근적외선을 안정적이면서 정밀하게 검출할 수 있는 기능근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 선기능근적외 디텍터소자는 기판층 상기 기판 상에 형성되는 나노크리스탈층을 포함하고, 상기 기판층의 상부표면은 피라미드 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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