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一种促神经修复的植入式电极及其制备方法
专利权人:
浙江理工大学
发明人:
陈岑,罗丹丹,孔祥东,姚晨雪,阮世超,李麟涉
申请号:
CN201610678205.4
公开号:
CN106267334B
申请日:
2016.17.08
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本发明公开了一种促神经修复的植入式电极及其制备方法,属于医疗器械领域。其制备步骤包括:(1)采用射频磁控溅射法在导电玻璃(ITO)基底材料上制备铱薄膜。(2)对于步骤(1)所制备的铱薄膜,利用循环伏安扫描活化得到结合力强、电荷密度高、多孔的氧化铱涂层。(3)通过多巴胺的氧化自聚合在步骤(2)所制备的氧化铱涂层表面形成均匀的纳米级聚多巴胺包覆层。(4)连接细胞粘附蛋白于步骤(3)所制备的纳米级聚多巴胺包覆层。本发明制备出的神经电极导电性能好、稳定性高、生物相容性好,能够促进细胞贴附,是一种很有应用价值的新型生物医用材料,可应用于利用外源电刺激调控神经干细胞(NSCs)的定向分化。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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