The optoelectronic device includes a matrix of optoelectronic elements including a semiconductor optical amplifier SOA, the semiconductor optical amplifier SOA comprising a plurality of InGaN / GaAsN or InGaN / AlGaN quantum well active layers on a p-doped gallium nitride substrate. And coated with a layer of n-doped gallium nitride. The p-doped gallium nitride GaN substrate forms a column of p-GaN covered with a layer of insulator in a biocompatible material. The device can include a matrix having a plurality of electronic elements of different heights. The optoelectronic element may be a photodiode or a semiconductor optical amplifier SOA. The optoelectronic device can be used for prosthetic devices on or under the retina. A single or subretinal prosthesis can include a matrix of photodiodes and a matrix of semiconductor optical amplifiers SOA. [Selection] Figure 3光電子デバイスは半導体光増幅器ＳＯＡを含む光電子要素のマトリックスを含み、前記半導体光増幅器ＳＯＡは、ｐ－ドープ窒化ガリウムの基板に複数のＩｎＧａＮ／ＧａＡｓＮ又はＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ量子ウェルを有する窒化ガリウムＧａＮの活性層を含み、ｎ－ドープ窒化ガリウムの層で被覆される。ｐ－ドープ窒化ガリウムＧａＮ基板は、生体適合性材料における絶縁体の層で被覆されたｐ－ＧａＮのカラムを形成する。デバイスは、異なる高さの複数の電子要素を有するマトリックスを含み得る。光電子要素は、フォトダイオード又は半導体光増幅器ＳＯＡであればよい。この光電子デバイスは、網膜上又は網膜下の人工器官に使用され得る。単一の網膜上又は網膜下の人工器官には、フォトダイオードのマトリックス及び半導体光増幅器ＳＯＡのマトリックスを含むことができる。【選択図】図３
