Embodiments are provided that enhance ultrasound efficacy by for example, high efficiency, signal measurement, calibration, and assurance systems with a control system radio-frequency (RE) driver configured to drive one or more focused ultrasound transducers. The RE driver can comprise one or more power amplifiers including one or more III-V semiconductors, (e.g., gallium nitride GaN, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, InGaAs, AlSb, AlGaAs, and/or AlGaN) field-effect transistors to efficiently provide high power with distinct narrow-band RE signals over a wide frequency range. The RE driver can include a power measurement and/or calibration system to monitor the amplitude and phase of the RE signal output from the power amplifier and estimate the amount of RE power delivered to the ultrasound transducers.Des modes de réalisation de l'invention permettent d'améliorer l'efficacité des ultrasons, par exemple grâce à des systèmes de mesure, d'étalonnage et d'assurance du signal à haute efficacité avec un pilote de système de contrôle par radiofréquence (RF) configuré pour faire fonctionner un ou plusieurs transducteurs ultrasonores focalisés. Le pilote RF peut comporter un ou plusieurs amplificateurs de puissance comprenant un ou plusieurs semi-conducteurs III-V, (par exemple, nitrure de gallium GaN, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, InGaAs, AlSb, AlGaAs et/ou AlGaN) à effet de champ pour fournir efficacement une puissance élevée avec des signaux RF à bande étroite distincts sur une large plage de fréquences. Le pilote RF peut comprendre un système de mesure et/ou d'étalonnage de puissance pour surveiller l'amplitude et la phase du signal RF émis par l'amplificateur de puissance et estimer la quantité de puissance RF délivrée aux transducteurs ultrasonores.
