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뇌파 센서 유닛 및 이를 이용한 뇌파 측정 장치
专利权人:
SAMSUNG ELECTRONICS CO.; LTD.
发明人:
LIM, Se-hoon,임세훈,JO, Hee-jae,조희재,PARK, Jun-hyung,박준형,YANG, Jang-beom,양장범,JUNG, Jae-min,정재민,KOH, Jun-ho,고준호,LEE, Chang-hyun,이창현,LIM, Yong-hyun,임용현
申请号:
KRKR2016/004213
公开号:
WO2016/190551A1
申请日:
2016.04.22
申请国别(地区):
WO
年份:
2016
代理人:
摘要:
A brainwave sensor unit and a brainwave measurement device using the same are disclosed. The disclosed brainwave sensor unit includes first and second contact electrodes positioned on a support, wherein the first contact electrode acquires a brainwave signal from a living body, and the second contact electrode is spaced from the first contact electrode so as to be electrically insulated and grounded.Linvention concerne une unité de détection dondes cérébrales et un dispositif de mesure dondes cérébrales la mettant en œuvre. Lunité de détection dondes cérébrales de la présente invention comprend des première et seconde électrodes de contact placées sur un support, la première électrode de contact acquérant un signal donde cérébrale en provenance dun corps vivant, et la seconde électrode de contact étant espacée de la première électrode de contact de façon à être isolée électriquement et à être électriquement mise à la terre.뇌파 센서 유닛 및 이를 이용한 뇌파 측정 장치가 개시된다. 개시된 뇌파 센서 유닛은 지지체 상에 위치한 제1 및 제2 접점 전극을 포함하며, 제1 접점 전극은 생체로부터 뇌파 신호를 획득하며, 제2 접점 전극은 제1 접점 전극과 이격되어 전기적으로 절연되고 접지된다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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