In einem Verfahren zur Erzeugung einer Keramik, Kohlenstoff, Bor, Silicium und/oder einen Verbundwerkstoff umfassenden Oberfläche, die Oberflächenstrukturen mit Abmessungen im Sub-Mikrometerbereich aufweist und chemisch modifiziert ist, wird die unbehandelte Oberfläche, auf der die Strukturen mit chemischer Modifikation zu erzeugen sind und die für eine Laserbestrahlung zugänglich sind, mit einem gepulsten Laserstrahl ein- oder mehrmals auf solche Weise abgetastet, dass benachbarte Lichtflecke des Laserstrahls lückenlos aneinander stoßen oder sich überlappen und ein bestimmter Bereich einer vorgegebenen Relation zwischen Verfahrensparametern eingehalten wird, wobei in einer Gasatmosphäre gearbeitet wird, die mit der Oberfläche chemisch reagiert.In a process for producing a ceramic, carbon, boron, silicon and / or composite surface having sub-micron sized surface features and being chemically modified, the untreated surface on which the chemically modified structures are to be formed becomes and which are accessible for a laser irradiation, scanned with a pulsed laser beam one or more times in such a way that adjacent light spots of the laser beam abut gapless or overlap and a certain range of a predetermined relation between process parameters is met, working in a gas atmosphere that reacts chemically with the surface.
