您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

implant-structure
专利权人:
Hi-Lex Corp.;Matsumoto Dental University
发明人:
Kimitoshi Yagami,Yasuo Seki,Kazutaka Yoshino
申请号:
DE112012004270
公开号:
DE112012004270T5
申请日:
2012.10.15
申请国别(地区):
DE
年份:
2014
代理人:
摘要:
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Implantat-Struktur, die gewährleistet, dass Substanzen, die das Wachstum von Bakterien beschleunigen, erschwert induziert werden. Die Implantat-Struktur umfasst: eine künstliche Zahnwurzel 4, umfassend einen künstlichen Zahnwurzelhauptkörper 2 mit einem distalen Endbereich 21 und einem proximalen Endbereich 22 und einem Gewinde, welches mindestens an der Seite des distalen Endbereichs 21 ausgebildet ist und einem Induktionsbereich 3 zur Induzierung von Weichgewebe, welches an der äußeren Peripherie des proximalen Endbereichs 22 des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 vorgesehen ist; und eine Trägerbasis 5 mit einem Deckbereich 51 an der Seite des proximalen Endbereichs 22 der Trägerbasis, welcher die gesamte Oberfläche der Seite des proximalen Endbereichs des Induktionsbereichs bedeckt, worin die Trägerbasis entlang ihrer äußeren Peripherie mit einem Stufenbereich von dem Deckbereich hin zur Seite des distalen Endbereichs der Trägerbasis versehen ist.The subject matter of the present invention is the provision of a implant-structure, which ensures that substances which accelerate the growth of bacteria, more difficult, are induced. The implant-structure comprises: an artificial dental root 4, comprising an artificial root main body 2 with a distal end region 21 and a proximal end region 22 and a thread, which at least on the side of the distal end section 21 is constructed and an inductor portion 3 for inducing of soft tissue, on the outer periphery of the proximal end portion of the artificial root main body 2 is provided; and a support base 5 with a top portion 51 on the side of the proximal end region 22 of the support base, which the entire surface of the side of the proximal end region of the induction range, in which the support base along its outer periphery with a stepped region of the top portion towards the side of the distal end section of the support base is provided.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充