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スキップされた層間導電性接点を有する高密度ＳＲＡＭアレイ設計
- 专利权人:
- クアルコム，インコーポレイテッド
- 发明人:
- ニラドリ・ナラヤン・モジュムダー,ジョンゼ・ワン,スタンリー・スンチュル・ソン,チョー・フェイ・イェプ
- 申请号：
- JP20160564954
- 公开号：
- JP2017515309(A)
- 申请日:
- 2015.03.30
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルが、メモリアレイの隣接する行内の近隣メモリセル内に延びるワード線ランディングパッドを含む第１の導電層を含む。第１の導電層内のワード線ランディングパッドは、近隣メモリセルのすべてのゲート接点から電気的に分離される。ＳＲＡＭセルはまた、第１の導電層内のワード線ランディングパッドに結合されたワード線を含む第２の導電層をも含む。ＳＲＡＭセルは、第１の導電層内のワード線ランディングパッドにＳＲＡＭセル内のパストランジスタゲートのゲート接点を結合する第１のビアをさらに含む。ＳＲＡＭセルはまた、ワード線ランディングパッドと第２の導電層のワード線とを結合する第２のビアをも含む。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
