LIU, Xinyuan,MANLEY, Robert George,MORENA, Robert Michael,SONG, Zhen
申请号：
USUS2015/015792
公开号：
WO2015/126747A1
申请日:
2015.02.13
申请国别(地区):
WO
年份:
2015
代理人:
摘要：
A catalyst-free CVD method for forming graphene. The method involves placing a substrate within a reaction chamber, heating the substrate to a temperature between 600°C and 1100°C, and introducing a carbon precursor into the chamber to form a graphene layer on a surface of the substrate. The method does not use plasma or a metal catalyst to form the graphene.La présente invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sans catalyseur pour la formation de graphène. Le procédé consiste à placer un substrat dans une chambre de réaction, à chauffer le substrat à une température comprise entre 600 °C et 1 100 °C, et à introduire un précurseur de carbone dans la chambre pour former une couche de graphène sur une surface du substrat. Le procédé nutilise pas de plasma ou de catalyseur métallique pour former le graphène.
