制备碳化硅晶须的方法
- 专利权人:
- 西北工业大学
- 发明人:
- 黄凤萍,李贺军
- 申请号：
- CN200510042708.4
- 公开号：
- CN1721583A
- 申请日:
- 2005.05.24
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2006
- 代理人:
- 黄毅新
- 摘要：
- 本发明公开了一种制备碳化硅晶须的方法，其目的是解决现有技术所制备的碳化硅晶须是晶须与碳和烧成残余物的混合物的问题，其解决技术问题的方案是用碳化稻壳既做硅源又做碳源由碳纤维诱导制取碳化硅晶须。将稻壳经粉碎后，在650℃～700℃的温度范围内，采用先开炉后闭炉的碳化工艺将稻壳进行碳化，按一定的重量比加入适当的催化剂，混合均匀后，将混合料装入石墨坩埚中，将碳纤维排布在混合料上部，盖好坩埚盖。将石墨坩埚放入石墨作加热体的立式真空炉中，通入氩气进行保护，在碳纤维上长出碳化硅晶须。本发明实现了晶须与粉料的自动分离，晶须依附于碳纤维在粉料的上部生长，毋须与残余碳等粉料的二次分离，所得到的晶须直晶率高，工艺简单。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
