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一种纳米碳化硅晶须的制备方法
专利权人:
张亮
发明人:
张亮
申请号:
CN201210544139.3
公开号:
CN103014828A
申请日:
2012.12.17
申请国别(地区):
中国
年份:
2013
代理人:
韩玙
摘要:
本发明公开了一种纳米碳化硅晶须的制备方法,主要以稻壳灰、炭黑和聚四氟乙烯为原料,按一定比例混合形成反应剂,将反应剂研磨,得到混合浆体,烘干后研磨成粉体,然后经过整体预热的燃烧合成反应得到反应产物,最后将反应产物经过除碳、除硅,得到纳米碳化硅晶须,本发明的制备方法制备纳米碳化硅晶须的转化率高,并且工艺简单,生产成本低;本发明的制备方法制备出的碳化硅晶须具有低密度、高熔点、高强度、高模量、热膨胀系数小及耐腐蚀、耐磨等特点,可广泛应用于机械、电子、航空航天及能源等领域。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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