一种超细β碳化硅及其制备方法
- 专利权人:
- 西安通鑫半导体辅料有限公司
- 发明人:
- 李新家,贾明,马欢,曹恒
- 申请号：
- CN201310393354.2
- 公开号：
- CN103466624B
- 申请日:
- 2013.09.02
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 徐文权
- 摘要：
- 本发明公开了一种超细β碳化硅的制备方法，包括（1）混合样品；（2）高温反应；（3）煅烧除炭；（4）酸碱洗除杂四个步骤，其工艺步骤简单，操作方便，所制备的超细β碳化硅粒径为3μm左右，成本低、无α相碳化硅、杂质含量低、粒度分布均匀，β碳化硅含量在98%以上。制备出的超细β碳化硅可为电子、信息、精密加工技术、军工、航空航天、高级耐火材料、特种陶瓷材料、高级磨削材料和增强材料等领域提供优质的原料。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
