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场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法
- 专利权人:
- 罗伯特·博世有限公司
- 发明人:
- R.菲克斯,D.孔茨,A.克劳斯,A.马丁,D.卡尔歇尔
- 申请号：
- CN201110226985.6
- 公开号：
- CN102375015A
- 申请日:
- 2011.08.09
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 张涛`李家麟
- 摘要：
- 本发明涉及场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法。提出了一种场效应气体传感器（100，200，250，300，400，500，600，1020），其具有对于至少一种预先确定的气体可透过的多孔电极层（110，310，410，510，610）。此外，该场效应气体传感器包括至少一个与电极层邻接的介电体层（120、210、220、230、240、320、430、520、540、620、660），所述介电体层具有不同于SiO2的材料。最后，该场效应气体传感器包括由金属或半导体材料构成的后部电极（150，330，420，440，530，640），其中后部电极在与电极层对置的那侧上与所述介电体层邻接。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
